웨이비스, 인도 방산기업과 RF GaN 고출력증폭기 공급 계약 체결

RF(고주파) 질화갈륨(GaN) 반도체 및 방산 전문기업 웨이비스(대표이사 한민석)는 인도 유력 방산기업과 206만 달러(한화 약 29억 원) 규모의 RF GaN 반도체 기반 고출력증폭기(High Power Amplifier, HPA) 공급 계약을 체결했다고 13일 밝혔다.

이번 계약은 인도 국경지대에 설치되는 전자전(Electronic Warfare) 장비용 안티드론(Anti-Drone) 시스템에 웨이비스의 RF GaN 기반 HPA가 탑재되는 프로젝트다. 이번 양산 수주는 지난 7월 체결된 개발 프로젝트의 성공적 완료에 따른 후속 계약으로, 웨이비스의 기술력과 제품 신뢰성을 입증한 결과다.

안티드론 기술은 전 세계적으로 고도화되는 드론 위협에 대응하기 위한 핵심 방어체계로 주목받고 있다. 글로벌 시장조사기관 그랜드뷰리서치(Grand View Research)에 따르면, 안티드론 시장은 2024년 약 24억 5천만 달러에서 2030년 105억 8천만 달러로 성장할 전망이며, 연평균 성장률(CAGR)은 27.2%에 이를 것으로 예상된다.

RF GaN 반도체 기반 고출력증폭기는 장거리·고정밀 대응이 가능한 안티드론 시스템의 핵심 부품으로, 기술 경쟁력이 시장 점유율을 결정하는 요인으로 꼽힌다. 최근 첨단 무기체계용 RF GaN 반도체의 글로벌 수급난이 심화되는 가운데, 인도의 방위산업 강화 정책과 구형 장비의 현대화 수요가 관련 기술 확보를 촉진하고 있다.

웨이비스 관계자는 “이번 계약은 인도 내 유력 방산기업으로부터 기술력을 인정받아 성사된 것으로, 향후 추가적인 대규모 프로젝트로 이어질 가능성이 높다”며 “이를 계기로 글로벌 방산 시장에서 웨이비스의 입지가 더욱 강화될 것”이라고 말했다.

 

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