온디바이스 AI 반도체 전문기업 딥엑스(대표 김녹원)는 삼성파운드리, 가온칩스와 함께 2나노미터(nm) 공정 기반 차세대 생성형 AI 반도체 ‘DX-M2’ 개발을 위한 공정 계약을 체결했다고 13일 밝혔다.
이번 계약을 통해 딥엑스는 생성형 AI 기능을 탑재한 초저전력 온디바이스 추론용 반도체 제품인 DX-M2의 본격적인 개발에 착수하게 됐다. 딥엑스는 삼성파운드리의 2나노 공정 상용 고객이 되며, 시제품 제작을 위한 MPW(Multi Project Wafer)는 2026년 상반기, 양산은 2027년을 목표로 하고 있다.
딥엑스는 GAA(Gate-All-Around) 기반의 2나노 공정이 기존 DX-M1에서 사용한 5나노 공정 대비 전성비(성능 대비 전력 소비) 측면에서 약 두 배의 효율을 보일 수 있다는 점에 주목하고 있다. 생성형 AI 모델은 높은 연산량을 요구하며, 전력 및 열 제약이 큰 온디바이스 환경에서의 구동은 기술적 난제로 여겨져 왔다.
딥엑스는 2023년 말부터 삼성파운드리의 2나노 공정을 기반으로 한 전력 효율, 제조원가, 수율 등을 종합 분석한 결과, 온디바이스용 생성형 AI에 필요한 성능 조건을 충족할 수 있다고 판단하고 DX-M2 개발을 추진하게 됐다.
DX-M2는 약 20B(200억) 파라미터 수준의 생성형 AI 모델을 최대 초당 20~30 토큰(Token Per Second) 속도로 실시간 추론할 수 있도록 설계되고 있으며, 전력 소모는 5W 이하로 예상된다. 이를 통해 로봇, 가전, 노트북 등 고전력 처리에 제약이 있는 디바이스에서도 전문가 수준의 AI 모델을 자체적으로 실행할 수 있게 된다.
딥엑스는 해당 제품을 통해 ‘DeepSeek’, ‘LLaMA 4’ 등과 같은 20B급 생성형 AI 모델을 MOE(Mixture of Experts) 구조와 함께 구동해 100B급 준-AGI 성능을 온디바이스에서 실현하는 것을 목표로 하고 있다.
이와 관련해 딥엑스는 2024년 초부터 새로운 생성형 AI 프로세서 설계에 착수했으며, 현재는 초기 프로토타입 개발을 마친 상태다. 딥엑스는 글로벌 경쟁사 대비 연산 성능, 지능 수준, 전력 효율 측면에서 우위를 확보한 AI 반도체 출시를 목표로 하고 있다.
딥엑스 김녹원 대표는 “DX-M2는 생성형 AI의 온디바이스 구현 가능성을 현실화하는 제품”이라며, “딥엑스는 앞으로도 고성능·고효율 AI 반도체 기술을 통해 AI 대중화와 산업화를 가속해 나갈 것”이라고 밝혔다.
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DeepX Signs 2nm Process Agreement with Samsung Foundry
DeepX (CEO Nok-won Kim), a specialized on-device AI semiconductor company, announced on the 13th that it has signed a process agreement with Samsung Foundry and Gaonchips for the development of the next-generation generative AI semiconductor 'DX-M2' based on a 2-nanometer (nm) process.
Through this agreement, DeepX will begin full-scale development of DX-M2, an ultra-low-power on-device inference semiconductor product equipped with generative AI capabilities. DeepX will become a commercial customer of Samsung Foundry's 2nm process, and the MPW (Multi Project Wafer) for prototype production is targeted for the first half of 2026, with mass production targeted for 2027.
DeepX is noting that its 2nm process based on Gate-All-Around (GAA) can show approximately twice the efficiency (power consumption per performance) of the 5nm process used in the existing DX-M1. Generative AI models require a high amount of computation, and operating them in an on-device environment with significant power and thermal constraints has been considered a technical challenge.
DeepX has conducted a comprehensive analysis of power efficiency, manufacturing cost, and yield based on Samsung Foundry's 2nm process since the end of 2023, and has decided to pursue the development of DX-M2 after determining that it can meet the performance conditions required for generative AI for on-device use.
The DX-M2 is designed to perform real-time inference on generative AI models with approximately 20 billion parameters at a maximum speed of 20-30 tokens per second (TPS), while consuming less than 5W of power. This will enable autonomous execution of expert-level AI models even on devices with limited power processing capabilities, such as robots, home appliances, and laptops.
Through this product, DeepX aims to realize 100B-class quasi-AGI performance on-device by running 20B-class generative AI models such as 'DeepSeek' and 'LLaMA 4' together with the MOE (Mixture of Experts) structure.
In this regard, DeepX began designing a new generative AI processor in early 2024 and has now completed development of an initial prototype. DeepX aims to launch an AI semiconductor that offers superior computational performance, intelligence, and power efficiency compared to global competitors.
DeepX CEO Kim Nok-won said, “DX-M2 is a product that realizes the possibility of on-device implementation of generative AI,” and “DeepX will continue to accelerate the popularization and industrialization of AI through high-performance and high-efficiency AI semiconductor technology.”
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ディープエックス、サムスンファウンドリと「2ナノプロセス契約」を締結
オンデバイスAI半導体専門企業ディップエックス(代表キム・ノクウォン)はサムスンファウンドリ、ガオンチップスと共に2ナノメートル(nm)プロセスベースの次世代生成型AI半導体「DX-M2」開発のための工程契約を締結したと13日明らかにした。
今回の契約を通じてディープエックスは、生成型AI機能を搭載した超低電力オンデバイス推論用半導体製品であるDX-M2の本格的な開発に着手することになった。ディープエックスはサムスンファウンドリの2ナノプロセス商用顧客となり、試作品製作のためのMPW(Multi Project Wafer)は2026年上半期、量産は2027年を目指している。
ディープエックスは、GAA(Gate-All-Around)ベースの2ナノプロセスが従来のDX-M1で使用した5ナノプロセス対全性比(性能対電力消費)の面で約2倍の効率を示すことができることに注目している。生成型AIモデルは高い演算量を要求し、電力と熱制約の大きいオンデバイス環境での駆動は技術的課題とされてきた。
ディープエックスは2023年末からサムスンファウンドリの2ナノプロセスを基盤とした電力効率、製造コスト、歩留まりなどを総合分析した結果、オンデバイス用生成型AIに必要な性能条件を満たすことができると判断し、DX-M2開発を推進することになった。
DX-M2は、約20B（200億）のパラメータレベルの生成型AIモデルを、最大毎秒20～30トークン（Token Per Second）速度でリアルタイム推論できるように設計されており、電力消費は5W以下と予想される。これにより、ロボット、家電、ノートパソコンなどの高電力処理に制約があるデバイスでも、専門家レベルのAIモデルを独自に実行できるようになる。
ディープエックスは該当製品を通じて「DeepSeek」、「LLaMA 4」などのような20B級生成型AIモデルをMOE（Mixture of Experts）構造とともに駆動し、100B級準AGI性能をオンデバイスで実現することを目指している。
これに関してディープエックスは2024年初めから新しい生成型AIプロセッサ設計に着手し、現在は初期プロトタイプ開発を終えた状態だ。ディープエックスは、グローバル競合他社と比べて演算性能、知能レベル、電力効率の面で優位を確保したAI半導体発売を目指している。
ディープエックスのキム・ノクウォン代表は「DX-M2は生成型AIのオンデバイス実装可能性を現実化する製品」とし、「ディープエックスは今後も高性能・高効率AI半導体技術を通じてAI大衆化と産業化を加速していくだろう」と明らかにした。
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DeepX与三星代工厂签署2nm工艺协议
专门从事设备上AI半导体的公司DeepX（代表：金鹿元）13日宣布，已与三星代工厂和Gaonchips签署了工艺协议，将开发基于2纳米（nm）工艺的下一代生成AI半导体“DX-M2”。
通过此次协议，DeepX 将全面开发 DX-M2，这是一款配备生成式 AI 功能的超低功耗设备推理半导体产品。DeepX 将成为三星代工厂 2nm 工艺的商业客户，用于原型生产的 MPW（多项目晶圆）计划于 2026 年上半年完成，并计划于 2027 年实现量产。
DeepX 指出，其基于全栅环绕 (GAA) 的 2nm 工艺的效率（单位性能功耗）约为现有 DX-M1 所用 5nm 工艺的两倍。生成式 AI 模型需要大量计算，在功率和散热受限的设备环境中运行这些模型一直被认为是一项技术挑战。
DeepX 自 2023 年底以来就基于三星代工厂的 2nm 工艺对功率效率、制造成本和产量进行了全面分析，并在确定其能够满足设备使用生成 AI 所需的性能条件后，决定继续开发 DX-M2。
DX-M2 旨在对约 200 亿个参数的生成式 AI 模型进行实时推理，最高速度可达每秒 20-30 个令牌 (TPS)，同时功耗低于 5W。即使在机器人、家用电器和笔记本电脑等功率处理能力有限的设备上，也能自主执行专家级 AI 模型。
通过该产品，DeepX 旨在通过运行“DeepSeek”和“LLaMA 4”等 20B 级生成式 AI 模型以及 MOE（专家混合）结构，在设备上实现 100B 级准 AGI 性能。
为此，DeepX 于 2024 年初开始设计一款新型生成式 AI 处理器，目前已完成初始原型的开发。DeepX 的目标是推出一款计算性能、智能化程度和能效均优于全球竞争对手的 AI 半导体。
DeepX首席执行官Kim Nok-won表示，“DX-M2是一款实现了生成式AI在设备上实现可能性的产品”，“DeepX将继续通过高性能、高效的AI半导体技术，加速AI的普及和产业化。”
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DeepX signe un accord de procédé 2 nm avec Samsung Foundry
DeepX (PDG Nok-won Kim), une société spécialisée dans les semi-conducteurs IA sur appareil, a annoncé le 13 avoir signé un accord de processus avec Samsung Foundry et Gaonchips pour le développement du semi-conducteur IA génératif de nouvelle génération « DX-M2 » basé sur un processus de 2 nanomètres (nm).
Grâce à cet accord, DeepX entamera le développement à grande échelle du DX-M2, un semi-conducteur d'inférence embarqué ultra-basse consommation doté de capacités d'IA générative. DeepX deviendra un client commercial du procédé 2 nm de Samsung Foundry, et la production de prototypes MPW (Multi Project Wafer) est prévue pour le premier semestre 2026, la production en série étant prévue pour 2027.
DeepX souligne que son procédé 2 nm basé sur la technologie Gate-All-Around (GAA) affiche une efficacité (consommation d'énergie par rapport aux performances) environ deux fois supérieure à celle du procédé 5 nm utilisé dans le DX-M1 actuel. Les modèles d'IA générative nécessitent un volume de calcul important, et leur exploitation dans un environnement embarqué avec des contraintes énergétiques et thermiques importantes est considérée comme un défi technique.
DeepX a mené une analyse complète de l'efficacité énergétique, du coût de fabrication et du rendement basé sur le processus 2 nm de Samsung Foundry depuis fin 2023, et a décidé de poursuivre le développement du DX-M2 après avoir déterminé qu'il peut répondre aux conditions de performance requises pour l'IA générative pour une utilisation sur appareil.
Le DX-M2 est conçu pour effectuer des inférences en temps réel sur des modèles d'IA génératifs comportant environ 20 milliards de paramètres, à une vitesse maximale de 20 à 30 jetons par seconde (TPS), tout en consommant moins de 5 W. Cela permettra l'exécution autonome de modèles d'IA de niveau expert, même sur des appareils aux capacités de traitement limitées, tels que les robots, les appareils électroménagers et les ordinateurs portables.
Grâce à ce produit, DeepX vise à réaliser des performances quasi-AGI de classe 100B sur l'appareil en exécutant des modèles d'IA génératifs de classe 20B tels que « DeepSeek » et « LLaMA 4 » avec la structure MOE (Mixture of Experts).
À cet égard, DeepX a commencé à concevoir un nouveau processeur d'IA générative début 2024 et a désormais achevé le développement d'un premier prototype. DeepX vise à lancer un semi-conducteur d'IA offrant des performances de calcul, une intelligence et une efficacité énergétique supérieures à celles de ses concurrents mondiaux.
Le PDG de DeepX, Kim Nok-won, a déclaré : « Le DX-M2 est un produit qui réalise la possibilité d'une mise en œuvre sur appareil de l'IA générative » et « DeepX continuera d'accélérer la popularisation et l'industrialisation de l'IA grâce à une technologie de semi-conducteurs IA haute performance et haute efficacité. »
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