ウェイビス、インドの放散企業とRF GaN高出力増幅器供給契約締結

RF（高周波）窒化ガリウム（GaN）半導体および防散専門企業ウェイビス（代表取締役ハン・ミンソク）は、インド有力放散企業と206万ドル（ハンファ約29億ウォン）規模のRF GaN半導体ベースの高出力増幅器（High Power Amplifier、HPA）供給契約を締結したと13日。

今回の契約はインド国境地帯に設置される電子戦（Electronic Warfare）装備用アンチドローン（Anti-Drone）システムにウェイビスのRF GaNベースのHPAが搭載されるプロジェクトだ。今回の量産受注は7月に締結された開発プロジェクトの成功完了に伴う後続契約で、ウェイビスの技術力と製品信頼性を立証した結果だ。

アンチドローン技術は、世界的に高度化されたドローン脅威に対応するための核心防御体系として注目されている。グローバル市場調査機関グランドビューリサーチ（Grand View Research）によると、アンチドローン市場は2024年に約24億5千万ドルから2030年に105億8千万ドルに成長する見込みで、年平均成長率（CAGR）は27.2％に達すると予想される。

RF GaN半導体ベースの高出力増幅器は、長距離・高精度対応が可能なアンチドローンシステムの核心部品であり、技術競争力が市場シェアを決定する要因に挙げられる。近年、先端無機体系用RF GaN半導体のグローバル需給難が激化する中、インドの防衛産業強化政策と旧型装備の近代化需要が関連技術の確保を促進している。

ウェイビス関係者は「今回の契約は、インド内の有力放散企業から技術力を認められ成就されたことで、今後追加的な大規模プロジェクトにつながる可能性が高い」とし「これをきっかけにグローバル放散市場でウェイビスの立地がさらに強化されるだろう」と話した。

• 関連記事をもっと見る