RFHIC、第4世代放射光加速器用RF増幅システム187億ウォン受注

化合物半導体専門企業RFHIC(代表取締役チョ・ドクス)は、第4世代多目的放射光加速器構築事業の核心構成品である高出力無線周波数(RF)増幅システム(SSPA)を187億ウォン規模で受注したと明らかにした。

同社側は今回の受注が既存の通信及び放散中心のRF半導体事業から進み、国家戦略研究施設及び産業インフラに適用されるRFエネルギーシステム分野に事業領域を拡張する事例だと説明した。

放射光加速器は、電子を光の速度に近づけて加速して高輝度X線を生成する大型研究施設で、物質の構造と変化過程を精密に分析するために活用される。第4世代放射光加速器は、従来比放射光の明るさと精度が向上し、より精密な分析とリアルタイム観察が可能と評価されている。

今回供給されるRF増幅システムには、RFHICの窒化ガリウム（GaN）ベースの半導体技術が適用された高出力アンプが搭載された。これによりエネルギー効率を高め、デジタル制御機能を実現し、長時間連続運転環境での安定性とメンテナンスの利便性を確保したと同社は明らかにした。

RFHIC関係者は今回の受注が技術信頼性と供給能力を認められた事例だとし、今後半導体素材・装備、二次電池装備、医療機器など多様な産業分野にRFエネルギー事業を拡大していく計画だと話した。

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