UTCインベストメント、ペブルスクエアへの投資進行

UTCインベストメントは10日、ニューロモルフィック(Neuromorphic)技術基盤のAI半導体ファブレススタートアップであるペブルスクエアに20億ウォンを投資したと明らかにした。

ペブルスクエアは今回のフリーシリーズAラウンドを通じて総100億ウォン規模の投資誘致を進行中であり、現在投資誘致仕上げ段階にある。

ペブルスクエアが開発中のニューロモフィック半導体は、人間の脳の動作原理を模倣した次世代AIチップだ。この半導体は、ニューロンとシナプスが信号を伝達し処理する方法と同様に、演算と記憶を同時に実行できます。 AI技術の拡散とともに、モノのインターネット(IoT)、生成型AI、巨大言語モデル(LLM)、自律走行など多様な分野で演算のためのデータ規模が急増する中、莫大な電力消費問題が台頭している。ペブルスクエアのニューロモルフィック半導体は、データ演算、通信、保存が融合した構造でデータ移動が不要で、超低電力でAI演算処理が可能です。また、人工ニューラルネットワークの実装に必要な並列演算および行列計算に特化しており、大規模データの迅速な処理も可能である。

従来のニューロモルフィック半導体は、まだ安定性が検証されていない新興メモリを基盤として、主に大学およびグローバル半導体企業の先行研究水準に留まっている。しかし、ペブルスクエアは、技術成熟度（TRL）が高いNORフラッシュメモリベースでアナログコンピューティングを実装、信頼性の高い技術と評価されている。

李忠賢ペブルスクエア代表は東京大学で材料工学の石・博士課程を経て先端半導体技術を研究し、米国IBM研究所で半導体工程技術の開発と設計を主導した。また、材料工学専攻をもとにニューロモルフィック半導体でシナプスの役割をするメリスタ素子を直接開発した。

投資を担当したUTCインベストメントイギルフン部長は「ペブルスクエアの高性能、超低電力ニューロモフィック半導体はAI技術の発展を先導し、エネルギーおよび炭素排出問題の解決にも寄与すると期待され、ゲームチェンジャーになるだろう」と投資背景を説明した。

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