ディープエックス、サムスンファウンドリと「2ナノプロセス契約」を締結

オンデバイスAI半導体専門企業ディップエックス(代表キム・ノクウォン)はサムスンファウンドリ、ガオンチップスと共に2ナノメートル(nm)プロセスベースの次世代生成型AI半導体「DX-M2」開発のための工程契約を締結したと13日明らかにした。

今回の契約を通じてディープエックスは、生成型AI機能を搭載した超低電力オンデバイス推論用半導体製品であるDX-M2の本格的な開発に着手することになった。ディープエックスはサムスンファウンドリの2ナノプロセス商用顧客となり、試作品製作のためのMPW(Multi Project Wafer)は2026年上半期、量産は2027年を目指している。

ディープエックスは、GAA(Gate-All-Around)ベースの2ナノプロセスが従来のDX-M1で使用した5ナノプロセス対全性比(性能対電力消費)の面で約2倍の効率を示すことができることに注目している。生成型AIモデルは高い演算量を要求し、電力と熱制約の大きいオンデバイス環境での駆動は技術的課題とされてきた。

ディープエックスは2023年末からサムスンファウンドリの2ナノプロセスを基盤とした電力効率、製造コスト、歩留まりなどを総合分析した結果、オンデバイス用生成型AIに必要な性能条件を満たすことができると判断し、DX-M2開発を推進することになった。

DX-M2は、約20B（200億）のパラメータレベルの生成型AIモデルを、最大毎秒20～30トークン（Token Per Second）速度でリアルタイム推論できるように設計されており、電力消費は5W以下と予想される。これにより、ロボット、家電、ノートパソコンなどの高電力処理に制約があるデバイスでも、専門家レベルのAIモデルを独自に実行できるようになる。

ディープエックスは該当製品を通じて「DeepSeek」、「LLaMA 4」などのような20B級生成型AIモデルをMOE（Mixture of Experts）構造とともに駆動し、100B級準AGI性能をオンデバイスで実現することを目指している。

これに関してディープエックスは2024年初めから新しい生成型AIプロセッサ設計に着手し、現在は初期プロトタイプ開発を終えた状態だ。ディープエックスは、グローバル競合他社と比べて演算性能、知能レベル、電力効率の面で優位を確保したAI半導体発売を目指している。

ディープエックスのキム・ノクウォン代表は「DX-M2は生成型AIのオンデバイス実装可能性を現実化する製品」とし、「ディープエックスは今後も高性能・高効率AI半導体技術を通じてAI大衆化と産業化を加速していくだろう」と明らかにした。

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